Компанія Spin Transfer Technologies (STT), зайнята розробкою магніторезистивної пам'яті з довільним доступом на ефекті перенесення спіна (Orthogonal Spin Transfer Magneto-Resistive Random Access Memory, OST-MRAM), повідомила про початок поставок ознайомлювальних зразків. У цих повнофункціональних зразках ширина магнітного тунельного переходу становить 80 нм, що є найкращим показником для ST-MRAM. Мікросхеми пам'яті поставляються на платах для розробників, щоб вони змогли відразу оцінити придатність мікросхем для своїх проектів. За словами STT, пам'ять OST-MRAM в багатьох випадках може замінити одночасно флеш-пам'ять, пам'ять типу SRAM і DRAM. До областей її застосування віднесені мобільні пристрої, автомобільна електроніка, Інтернет речей і сховища даних.